[1]. A. Rothschild, A. Evakov, Y. Shapira, N. Ashkenasy and Y. Komen, Surrf. Sci. 419(2003) 532-537.
[2]. E. G. J, Wijnhoven and W.L. Vos, Science 281 (1998) 802-807.
[3]. A.Richel, N.P. Johnson and D. McComb. Appl.phys. Lett. 76 (2000) 1816-1822.
[4]. S. P. Albu, A. Ghicov, J. M. Macak, R. Hahn and P. Schmuki, NanoLett. 7 (2007) 862-870.
[5]. A.r. Armstrong, G. Armstrong, J.Canales, R. Garcia and P.G. Bruce. Adv. Mater. 17 (2005) 862-868.
[6]. G. Armstrong, A.r. Armstrong, J.Canales, R. Garcia and P.G. Bruce. 9 A (2006) 139-145.
[7]. N.G. Park, J. Van de Lagemaat and A. J. Frank, J. Phys. Chem. B. 104 (2000) 8989-8994.
[8]. G. de Cesare, F. Galluzzi, F. Irrera, D. Lauta, F. Ferrazza, M.Tucci, J. Non Cryst. Solids 198 (1996) 1189-1195.
[9]. K. Y. Dong and Y. K. Dong. Nano Lett. 3 (2003) 207-212.
[10] G. H. Du, Q. Chen, R. C. Che, Z.Y. Yuan and L. M. Peng. Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 3702-3707.
[11]. L. Miao, S. Tanemura, S. Toh, K. Kaneko and M. J. Cryst. Growth 264 (2004) 246-252.
[12]. J-M.Wu, H. Shin, W-T. Wu, Y-K. Tseng,I-Ch. Chen, J. Cryst. Growth 281 (2005) 384-389.
[13]. J-M. Wu, W-T. Wu, H. Shin, J. Electrochem. Soc. 152 G (2005) 613-618.
[14]. J. Wu, H. Shin, W. Wu, J. Vac. Sci. Technol. B 23 (2005) 2122-2129.
[15]. K. Keis, A. Roos, J. Opt. Mater 20 (2002) 35
[16]. C. S. Rout, G. U. Kulkarni, C. N. R. Rao, J. Phys. D: Appl. Phys. 48 (2007) 2777-2784.
[17]. S.Ramezani Sani. A. Morteza Alli. R.Jafari. J.Physica B. 406 (2011) 3383-3390.
[18]. DH. Wang. L.Jia, XL. Wu, LQ. Lu, Aw, Xu, Nanoscle 4 (2012) 576-582